Prinsip Perancangan Gerbang Semikonduktor: Teori dan Proses Pembuatan

Buku ini menyajikan teori dasar yang diperlukan dan garis besar penjelasan teknik pembuatan gerbang semikonduktor. Sehingga pembaca dapat memperoleh gambaran umum bagaimana sebuah komponen aktif seperti transistor (disebut gerbang semikonduktor, atau dalam skala besar seperti komponen IC) dirancang dan diproses dari bahan dasar semikonduktor, misalnya silikon (Si) dan germanium (Ge) dan bahan lainnya.

Komponen aktif dengan gerbang semikonduktor di dalamnya misalnya IC telah memasuki teknologi skala dibawah 20 nano (tebal). Perkembangan pesat bidang semikonduktor merupakan salah satu tulang punggung yang menopang perkembangan teknologi perangkat/peralatan elektronik di masa mendatang karena hampir semua peralatan yang melekat teknologi didalamnya terdapat komponen aktif semikonduktor, terlebih-lebih mesin semacam super komputer yang berperan besar dalam bidang perancangan dan simulasi dengan kompleksitas tinggi. Dengan kata lain mesin mampu membantu menciptakan mesin lainnya dengan kecepatan lompatan dipercepat.

Untuk menyingkat sajian, maka topik pembentukan lapisan dengan ketebalan nano meter, teknik pembentukan gerbang semikonduktor secara fisik (lipografik dan bahan foto resist) tidak dibahas disini, pembaca dapat mengacu ke buku seri teknologi nano untuk pembuatan layar sentuh, karangan penulis yang telah diterbitkan.

Adapun isi buku ini mencakup antara lain:

• Persiapan bahan silikon
• Pengantar teori gerbang semikonduktor
• Persiapan permukaan (aspek kontaminasi)
• Implantasi Ion (pembentukan lapisan N-P)
• Difusi dopant
• Oksida dan dielektrik gerbang